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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM900N10CP ROG
TSM900N10CP ROG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM900N10CP ROG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM900N10CP ROG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM900N10CP ROG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
TSM900N10.pdf
État RoHS
En stock: 52530

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM900N10CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N10CP ROG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N10CP ROG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM900  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CP ROG

Attributs du produit TSM900N10CP ROG TSM80N1R2CH TSM850N06CX RFG TSM900N10CP
Modèle de produit TSM900N10CP ROG TSM80N1R2CH TSM850N06CX RFG TSM900N10CP
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) TO-251 (IPAK) SOT-23 TO-252, (D-Pak)
Numéro de produit de base TSM900 TSM80 TSM850 TSM900
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V 19.4 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 800 V 60 V 100 V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 5A, 10V 1.2Ohm @ 2.75A, 10V 85mOhm @ 2.3A, 10V 90mOhm @ 5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 50 V 685 pF @ 100 V 529 pF @ 30 V 1480 pF @ 50 V
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 110W (Tc) 1.7W (Tc) 50W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 5.5A (Tc) 3A (Tc) 15A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V

Fiche technique TSM900N10CP ROG PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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